Abstract:Tunnel a effet de champ (TFET) et un nouveau composant MOS a retroaction que nous avons nomme le Z2-FET.Le Z2-FET est envisage pour la logique faible consommation et pour les applications memoire compatibles avecles technologies CMOS avancees. Nous avons etudie de maniere systematique des TFETs avec differents oxydesde grille, materiaux et structures de canal, fabriques sur silicium sur isolant totalement deserte (FDSOI). Lesmesures de bruit a basse frequence (LFN) sur TFETs montrent la predominance d'un signal aleatoiretelegraphique (RTS), qui revele sans ambiguite le mecanisme d’effet tunnel. Un modele analytique combinantl’effet tunnel et le transport dans le canal a ete developpe, montrant un bon accord entre les resultatsexperimentaux et les simulations.Nous avons concu et demontre un nouveau dispositif (Z2-FET, pour pente sous le seuil verticale et zeroionisation par impact), qui presente une commutation extremement abrupte (moins de 1 mV par decade decourant), avec un rapport ION / IOFF >109, un large effet de hysteresis et un potentiel de miniaturisation jusqu'a 20nm. La simulation TCAD a ete utilisee pour confirmer que la commutation electrique du Z2-FET fonctionne parl'intermediaire de retroaction entre les flux des electrons et trous et leurs barrieres d'injection respectives. LeZ2-FET est idealement adapte pour des applications memoire a un transistor. La memoire DRAM basee sur leZ2-FET montre des performances tres bonnes, avec des tensions d'alimentation jusqu'a 1,1 V, des temps deretention jusqu'a 5,5 s et des vitesses d'acces atteignant 1 ns. Une memoire SRAM utilisant un seul Z²-FET estegalement demontree sans necessite de rafraichissement de l’information stockee.Notre travail sur le courant GIDL intervenant dans les MOSFETs de type FDSOI a ete combine avec leTFET afin de proposer une nouvelle structure de TFETs optimises, basee sur l'amplification bipolaire du couranttunnel. Les simulations de nouveau dispostif a injection tunnel ameliore par effet bipolaire (BET-FET) montrentdes resultats prometteurs, avec des ION superierus a 4mA/��m et des pentes sous le seuil SS inferieures a 60mV/dec sur plus de sept decades de courant, surpassant tous les TFETs silicium rapportes a ce jour.La these se conclut par les directions de recherche futures dans le domaine des dispositifs a pente sous leseuil abrupte.

High-gate-injection Tunneling Field Effect Transistor for Flash Memory Applications

Low-Voltage and Low-Current Flash Memory Using Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection to Perform Programming

A Novel High Programming Efficiency and Highly Scalable Flash Memory Cell Based on Tunneling Fet (Tfet)

A novel flash memory cell and design optimization for high density and low power application

Novel flash memory using band-to-band tunneling induced hot electron injection to program

A Novel Flash Memory Using Band-to-Band Tunneling In duced Hot Electron Injection to Program

High performance tunnel field-effect transistor by gate and source engineering.

A Novel High-Performance Planar InAs/GaSb Face-Tunneling FET With Implanted Drain for Leakage Current Reduction

A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation.

Applications of tunneling FET in memory devices

A Comb-Gate Silicon Tunneling Field Effect Transistor with Improved On-State Current

High Performance Tunnel Field Effect Transistor with a Tri-Material-gate Structure

Multi-state Tunnel Field Effect Transistor Based on Face Tunneling with Gate-Source Overlap

A Novel Planar InAs/Si Hetero-TFET with Buried Drain Design and Face-tunneling Technique

Characteristic Enhancement in Tunnel Field-Effect Transistors Via Introduction of Vertical Graded Source

A Tunnel-Induced Injection Field-Effect Transistor with Steep Subthreshold Slope and High On-off Current Ratio

Numerical Study on a Lateral Double-Gate Tunnelling Field Effect Transistor

A Novel Comb-Gate-Overlap-Source Tunnel Field-Effect Transistor Based on the Electric Field Fringe Effect

A Novel Planar Architecture for Heterojunction TFETs With Improved Performance and Its Digital Application as an Inverter

Dispositifs Innovants À Pente Sous Le Seuil Abrupte : Du TEFT Au Z²-FET

The Programming Optimization of Capacitorless 1T DRAM Based on the Dual-Gate TFET