高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

彭海波,王铁山,韩运成,丁大杰,徐鹤,程锐,赵永涛,王瑜玉
DOI: https://doi.org/10.7498/aps.57.2161
IF: 0.906
2008-01-01
Acta Physica Sinica
Abstract:不同电荷态低速离子(Ar q + ,Pb q + )轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应.
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