HOCHKONSISTENTER UND ENERGIESPARENDER RESISTIVER SPEICHER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Muxi Yu,Yimao Cai,Zhenxing Zhang,Qiang Li,Ru Huang,Ming Li
2016-01-01
Abstract:Offenbart wird ein resistiver Direktzugriffsspeicher mit einem Substrat, einer isolierenden Schicht, einer unteren Elektrode, einem resistiven Materialfilm und einer oberen Elektrode in einer Ordnung von unten nach oben, wobei der resistive Materialfilm eine Vier-Schicht-Struktur aus demselben Metalloxid aufweist; und wobei die vier Schichten in der Vier-Schicht-Struktur von unten nach oben Widerstandswerte aufweisen, welche einer nach dem anderen um mehr als 10-fach erhoht sind, Sauerstoffkonzentration, welche eine nach der anderen erhoht sind und Dicken, welche eine nach der anderen verringert sind. Die vorliegende Erfindung erreicht einen vollstandigen Formationsbruch von sauerstoffleerstellenleitenden Faden (CF) in jeder Schicht durch Auftrennen des resistiven Materialfilms desselben Metalloxids in vier Schichten entsprechend den unterschiedlichen Sauerstoffkonzentrationen, um so die Widerstandswerte prazise zu steuern, so dass ein 2-bit-Speicher mit hoher Gleichformigkeit erreicht wird. Zusatzlich kann durch ordentliches Einstellen der Widerstandswerte einer jeden Schicht der Vier-Schicht-Struktur der Niederstrombetrieb ausgefuhrt und ein niedriger Stromverbraucht erreicht werden.
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