Halbleiterspeichermatrix und Verfahren zu ihrer Programmierung

Yimao Cai,Ru Huang,Poren Tang,Shiqiang Qin
2013-01-01
Abstract:Die Erfindung sieht einen Flash-Speichermatrix-Aufbau und ein Verfahren zu dessen Programmierung vor, die einen technischen Bereich nichtfluchtiger Speicher bei der Fertigungstechnik von in extrem grosem Mase integrierten Schaltkreisen betreffen. Die Flash-Speichermatrix der vorliegenden Erfindung weist Speicherzellen (N, N + 1), Wortleitungen (2) und mit den Speicherzellen (N, N + 1) verbundene Bitleitungen (1) auf, wobei die mit Steuer-Gates der Speicherzellen (N, N + 1) verbundenen Wortleitungen (2) und die mit Drain-Anschlussen der Speicherzellen (N, N + 1) verbundenen Bitleitungen (1) nicht senkrecht aufeinander stehen, sondern sich in einem Winkel kreuzen; die Steuer-Gates zweier entlang der Kanalrichtung einander benachbarter Speicherzellen (N, N + 1) zwischen je zwei Bitleitungen (1) werden durch entsprechende zwei Wortleitungen (2) gesteuert, ihre Drain-Anschlusse werden durch entsprechende zwei Bitleitungen (1) gesteuert, und ihre Source-Anschlusse (5) werden gemeinsam genutzt. Die vorliegende Erfindung gibt ferner ein Verfahren zur Programmierung des Flash-Speichermatrix-Aufbaus an, mit dem eine Programmierung mit geringem Stromverbrauch erzielt werden kann.
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