Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

张明,董国胜,李喆深,徐敏,金晓峰,王迅,朱兴国
IF: 0.906
1993-01-01
Acta Physica Sinica
Abstract:利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p 3/2 ,As2p 3/2 的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm
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