Abstract:Tunnel a effet de champ (TFET) et un nouveau composant MOS a retroaction que nous avons nomme le Z2-FET.Le Z2-FET est envisage pour la logique faible consommation et pour les applications memoire compatibles avecles technologies CMOS avancees. Nous avons etudie de maniere systematique des TFETs avec differents oxydesde grille, materiaux et structures de canal, fabriques sur silicium sur isolant totalement deserte (FDSOI). Lesmesures de bruit a basse frequence (LFN) sur TFETs montrent la predominance d'un signal aleatoiretelegraphique (RTS), qui revele sans ambiguite le mecanisme d’effet tunnel. Un modele analytique combinantl’effet tunnel et le transport dans le canal a ete developpe, montrant un bon accord entre les resultatsexperimentaux et les simulations.Nous avons concu et demontre un nouveau dispositif (Z2-FET, pour pente sous le seuil verticale et zeroionisation par impact), qui presente une commutation extremement abrupte (moins de 1 mV par decade decourant), avec un rapport ION / IOFF >109, un large effet de hysteresis et un potentiel de miniaturisation jusqu'a 20nm. La simulation TCAD a ete utilisee pour confirmer que la commutation electrique du Z2-FET fonctionne parl'intermediaire de retroaction entre les flux des electrons et trous et leurs barrieres d'injection respectives. LeZ2-FET est idealement adapte pour des applications memoire a un transistor. La memoire DRAM basee sur leZ2-FET montre des performances tres bonnes, avec des tensions d'alimentation jusqu'a 1,1 V, des temps deretention jusqu'a 5,5 s et des vitesses d'acces atteignant 1 ns. Une memoire SRAM utilisant un seul Z²-FET estegalement demontree sans necessite de rafraichissement de l’information stockee.Notre travail sur le courant GIDL intervenant dans les MOSFETs de type FDSOI a ete combine avec leTFET afin de proposer une nouvelle structure de TFETs optimises, basee sur l'amplification bipolaire du couranttunnel. Les simulations de nouveau dispostif a injection tunnel ameliore par effet bipolaire (BET-FET) montrentdes resultats prometteurs, avec des ION superierus a 4mA/��m et des pentes sous le seuil SS inferieures a 60mV/dec sur plus de sept decades de courant, surpassant tous les TFETs silicium rapportes a ce jour.La these se conclut par les directions de recherche futures dans le domaine des dispositifs a pente sous leseuil abrupte.

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