Ion mixing to form amorphous alloys in the CoCd system

Zhi-Hua Yan,Bai-Xin Liu,Heng-De Li
DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.2210940206
1986-01-01
Abstract:Amorphous Co–Gd alloy films are formed by 300 keV Xe ion mixing of multilayered samples with alloy compositions of Co10Gd90, Co35Gd65, Co45Gd55, and Co50Gd50. Subsequent ion irradiation of the ion mixed amorphous alloys is made and a demixing effect is observed in some cases. Besides, the diffraction factors S = 2π sin (θ/λ) of the amorphous films so obtained are found similar to those of the amorphous Co–Gd alloys manufactured by rf sputter deposition. Amorphe dunne Schichten werden durch 300 keV Xe-Ionen-Bestrahlung aus Vielfachschichten der Legierungen von Co10Gd90, Co35Gd65, Co45Gd55 und Co50Gd50 hergestellt. Bei weiterer Bestrahlung einiger amorpher Legierungen werden Entmischungsvorgange beobachtet. Auserdem ergibt sich, das die Beugungsparameter S = 2π sin (θ/λ) der durch Ionenmischung entstandenen Schichten denjenigen amorpher Legierungen, die durch andere Techniken hergestellt werden, ahnlich sind.
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