Pt2Al3 Formation on Evaporated and Large-Grained Al Substrates

E MA,MA NICOLET

DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.2211100223

1988-01-01

Abstract:The growth of Pt2Al3 during thermally induced Pt-Al reaction is studied with two types of samples: bilayered thin films (Pt/Al) and Pt thin film on large-grained Al substrate (Pt/). The same behavior upon vacuum furnace annealing is observed for both types of sample configurations: Pt2Al3 forms as the initial growing phase in a laterally uniform fashion, following a diffusionlimited process. A parabolic growth law of the form x2 = kt is obtained in the temperature range 200 to 300 °C, where x is the thickness of the growing Pt2Al3 layer, t is the annealing duration, and the growth constant k is given by k = 1.02 × 10−2 (cm2/s) exp ((−1.15 ± 0.1) eV/kBT). The morphological rearrangements in the Al thin film during reaction is observed and discussed. The common Pt2Al3 growth kinetics on the two types of Al substrates suggests that neither the microstructure of nor the morphological rearrangements in the Al layer affect the Pt2Al3 growth significantly. Das Wachstum von Pt2Al3 während der thermisch induzierten Reaktion von Pt-Al wird an zwei Probenarten untersucht. Doppelschichten von dünnen Filmen (Pt/Al) und dünne Pt-Filme-auf einer großkörnigen Al-Unterlage (Pt/Lt;Al>). Beide Probenarten zeigen dasselbe Verhalten: Pt2Al3 erscheint als erste Phase, die in lateral gleichförmiger Weise nach einem diffusionsbeschränkten Vorgang wächst. Das Wachstum folgt dem Gesetz x2 = kt im Temperaturbereich von 200 bis 300 °C, wo x die Dicke der wachsenden Pt2Al3-Schicht ist, t die Dauer der Erwärmung, und die Wachstumskonstante k den Wert 1,02 × 10−2 (cm2/s) exp ((−1,15 ± 0,1) eV/kBT) hat. Die morphologischen Umwandlungen im Al-Film während der Reaktion werden diskutiert. Die gemeinsame Wachstumskinetik für beide Al-Unterlagen weist darauf hin, daß weder die Mikrostruktur noch die morphologischen Veränderungen des Al das Wachstum von Pt2Al3 wesentlich beeinflussen.