Abstract:Les memoires non-volatiles (MNV) sont l'objet d'un effort de recherche croissant du fait de leur capacite a limiter la consommation statique, qui obere habituellement la reduction des dimensions dans la technologie CMOS. Dans ce contexte, cette these aborde plus specifiquement deux technologies de memoires non volatiles : d'une part les jonctions tunnel ferroelectriques (JTF), dispositif non volatil emergent, et d'autre part les dispositifs a transfert de spin (TS) assiste par effet Hall de spin (EHS), approche alternative proposee recemment pour ecrire les jonctions tunnel magnetiques (JTM). Mon objectif est de developper des modeles compacts pour ces deux technologies et d'explorer, par simulation, leur integration dans les circuits non-volatiles.J'ai d'abord etudie les modeles physiques qui decrivent les comportements electriques des JTF : la resistance tunnel, la dynamique de la commutation ferroelectrique et leur comportement memristif. La precision de ces modeles physiques est validee par leur bonne adequation avec les resultats experimentaux. Afin de proposer un modele compatible avec les simulateurs electriques standards, nous j'ai developpe les modeles physiques mentionnes ci-dessus en langue Verilog-A, puis je les ai integres ensemble. Le modele electrique que j'ai concu peut etre exploite sur la plate-forme Cadence (un outil standard pour la simulation de circuit). Il reproduit fidelement les comportements de JTF. Ensuite, en utilisant ce modele de JTF et le design-kit CMOS de STMicroelectronics, j'ai concu et simule trois types de circuits: i) une memoire vive (RAM) basee sur les JTF, ii) deux systemes neuromorphiques bases sur les JTF, l'un qui emule la regle d'apprentissage de la plasticite synaptique basee sur le decalage temporel des impulsions neuronale (STDP), l'autre mettant en œuvre l'apprentissage supervise de fonctions logiques, iii) un bloc logique booleen base sur les JTF, y compris la demonstration des fonctions logiques NAND et NOR. L'influence des parametres de la JTF sur les performances de ces circuits a ete analysee par simulation. Finalement, nous avons modelise la dynamique de renversement de l'aimantation dans les dispositifs a anisotropie perpendiculaire a transfert de spin assiste par effet Hall de spin dans un JTM a trois terminaux. Dans ce schema, deux courants d'ecriture sont appliques pour generer l'EHS et le TS. La simulation numerique basee sur l'equation de Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) demontre que le delai d'incubation de TS peut etre elimine par un fort EHS, conduisant a la commutation ultra-rapide de l'aimantation, sans pour autant requerir une augmentation excessive du TS. Nous avons applique cette nouvelle methode d'ecriture a la conception d'une bascule magnetique et d'un additionneur 1 bit magnetique. Les performances des circuits magnetiques assistes par l'EHS ont ete compares a ceux ecrits par transfert de spin, par simulation et par une analyse fondee sur le modele theorique.

Dynamic Compact Model of Spin-Transfer Torque Based Magnetic Tunnel Junction (MTJ)

Macro-model of Spin-Transfer Torque Based Magnetic Tunnel Junction Device for Hybrid Magnetic-CMOS Design

A Compact Model for Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Switched by Thermally Assisted Spin Transfer Torque (TAS + STT)

Compact Modeling of High Spin Transfer Torque Efficiency Double-Barrier Magnetic Tunnel Junction.

Electrical Modeling of Stochastic Spin Transfer Torque Writing in Magnetic Tunnel Junctions for Memory and Logic Applications

Monte-Carlo Simulations of Magnetic Tunnel Junctions: from Physics to Application

Compact model of magnetic tunnel junction with stochastic spin transfer torque switching for reliability analyses.

Compact Model of Subvolume MTJ and Its Design Application at Nanoscale Technology Nodes

Compact thermal modeling of spin transfer torque magnetic tunnel junction

A Universal Compact Model for Spin-Transfer Torque-Driven Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junction

New non-volatile logic based on spin-MTJ

Compact Model of Dielectric Breakdown in Spin-Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction

Modélisation Compacte Et Conception De Circuit À Base De Jonction Tunnel Ferroélectrique Et De Jonction Tunnel Magnétique Exploitant Le Transfert De Spin Assisté Par Effet Hall De Spin

Compact Model for Negative Capacitance Enhanced Spintronics Devices

A macro model of spin-transfer torque magnetic tunnel junction

Compact Modeling of Perpendicular-Magnetic-Anisotropy Double-Barrier Magnetic Tunnel Junction with Enhanced Thermal Stability Recording Structure

Compact Modeling of Perpendicular-Anisotropy CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions

High Speed, Low Resource and Non-volatile MTJ-CMOS Hybrid Logical Circuits

CMOS/Magnetic Hybrid Architectures

Compact modeling of STT-MTJ devices

Modeling and Exploration of the Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect for the Next-Generation Low-Power and High-Speed MRAM Applications