Effective bond-orbital model for acceptor states in semiconductors and quantum dots.

Einevoll,Chang
DOI: https://doi.org/10.1103/PHYSREVB.40.9683
1989-11-15
Abstract:Introduction du modele de l'orbitale de liaison effective (EBOM) comme une nouvelle voie pour calculer les energies de liaison des accepteurs dans les semiconducteurs et les heterostructures semiconductrices. La methode combine les vertues de la theorie de la masse effective et des methodes de liaison forte. Elle est specialement utile pour les accepteurs superficiels dans les heterostructures ou un traitement de masse effective correct est extremement complique. Application de la methode aux accepteurs dans la matrice de Si et AsGa
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