Miniband structure in InxGa1-xAs-GaAs strained-layer superlattices.

Pulsford,Nicholas,Warburton,Duggan,Moore,Woodbridge,Roberts
DOI: https://doi.org/10.1103/PHYSREVB.43.2246
1991-01-15
Abstract:Un couplage significatif, a travers des couches barrieres de 100 A d'epaisseur, est demontre par la presence d'une dispersion de minibande finie et une reduction dans l'energie de liaison des excitons, pour des echantillons a couches minces. Les niveaux de Landau des superreseaux saturent dans des champs magnetiques eleves pres du sommet des minibandes
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